Saturday, August 16, 2008

טכנוליוגיית זכרון חדשה מהירה פי 10 ויעילה יותר אנרגטית

טכנולגיה מגנטית חדשה עושה שימוש בהתנגדות מגנטית לשימור מצב יחידת זכרון. ה-MRAM או Magnetoresistive Random Access Memory אשר פותחה על-ידי פיזיקאים ומהנדסים גרמנים לא רק מהירה פי 10 מהזכרונות של היום אלא גם יעילה יותר אנרגטית. נראה שה-MRAM יקפיץ את עולם המחשוב הנייד מדרגה למעלה. הזכרון יודע להפוך את כיוון המגנוט צפון-דרום של השדה המגנטי על ידי שימוש בסחריר (Spin) של האלקטרונים או מה שנקרא בעגה מקצועית spin-torque.
על-ידי בניה של עמודים באורך 165 ננומטר, המשמשים כמגנטים משתנים בקצה העליון שלהם, מתאפשר מעבר של זרם מהתחתית ולמעלה והסחריר של האלקטרון מתרחש. השדות מתהפכים ולוקח לו זמן להתייצב בכיוון החדש שלו. בשלב זה, צירי הצפון והדרום יוצרים מעגלים באוורי לפני שהם מתייצבים מה שגורם להתנודדות (wobble). מכיוון שזה נסמך על השדה המגנטי וההתנודדות בשדה, הצוות הגרמני מצא שיטה לצפות ולשלוט בהתנודדות של השדה המגנטי בזמן ההתהפכות של השדה ולאחריו. כרגע, ה-MRAM מהיר בערך פי 30 מזכרון RAM רגיל. המהירות הזו צפויה לגדול בהמשך המחקר לבוא.

אני חייב להודות שלא לגמרי הבנתי את כל מה שנאמר במחקר. אני מתעודד לדעת שיש התקדמויות צפויות שיבנו על טכנולוגיות כגון זו בעתיד הלא מאוד רחוק אפילו בלי שאני מבין לעומק את משמעותן...

[דרך Gizmo Watch]

No comments:

Post a Comment

Note: Only a member of this blog may post a comment.